동적광산란을 이용한 CMP 슬러리 특성화

동적광산란을 이용한 CMP 슬러리 특성화
연마 슬러리는 실리콘 웨이퍼 표면에 있는 물질을 제거하고 불규칙한 면을 평탄하게 하여 추가 회로 소자를 조립할 웨이퍼 표면을 준비하는데사용됩니다.

웨이퍼의 미세 굴곡은 사용되는 슬러리의 크기 분포와 관련이 있습니다. 크기는 나중에 처리되는 유전체 박막의 불균일성에 영향을 주기 때문입니다.

슬러리 입자의 표면 전하로 슬러리의 안정성이 결정되므로 제타 전위도 연마 공정에 영향을 줄 수 있습니다. 본 연구에서는 두 종류의 실리카 슬러리를 이용하였고, 크기, 분포 및 표면 전하 특성을 조사하기 위해 광산란법을 이용하였습니다

실험 :
슬러리 입자는 동적, 정적 및 전기 영동 광산란 측정이 가능한 Zetasizer Nano 를 사용하여 측정하였습니다.

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